Rds(on)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。对于同类MOSFET器件，Rds(on)数值越小，工作时的损耗（功率损耗）就越小。
首先是平面栅的MOSFET，其基本结构以及电流走向示意图如下图所示（这里纠正一下，上一篇中的电压标反了）：
其导通电阻主要由RCS、RN+、RCH、RA、RJFET、RD、RSUB、RCD这8部分组成。
其结构位置如下图所示：
RCS：源接触电子，是最上面源极金属层与半导体接触的接触面产生的接触电阻，其计算表达式如下所示；
ρc：元胞结构内每个N+源区的接触电阻；
WC：接触口窗口宽度；
WS：N+源区离子注入窗口宽度；
Z：图中横截面垂直方向的元胞长度；
通常采用低势垒的金属接触，比如钛或者钛硅化物来降低特征接触电阻。
RN+：源区电阻，电流流过的N+区域内，存在一个区域电阻，其计算表达式如下所示：
RCH：沟道电阻，顾名思义在沟道内部产生的电阻，导通电阻不仅仅指沟道形成电流通路时候的沟道电阻，其构成还有其他部分，其计算表达式如下所示：
RA：积累电阻，位于沟道边缘与JFET区域中间，其计算表示如下所示：
RJFET：JFET区域电阻，JFET叫做结型场效应管，在图中位于两个P型区域中间的区域，当中间出现夹断的情况，电流就断了。（场效应管的夹断原理，请参考文章：功率器件简介：MOSFET基本原理）其计算表达式如下所示：
RD：漂移区电阻，在器件的结构中对应的是外延层，整个区域是用来挡耐压用的，其计算表达式如下所示：
RSUB：N+衬底电阻，其计算表达式如下所示：
RCD：漏接触电阻，通常采用低势垒的金属接触，钛作为接触层，镍作为阻挡层，银层作为焊料层。
接下来我们来看看沟槽结构的构成情况，首先来看看沟槽的基本结构以及对应的电流流向示意图，如下图所示：
沟槽栅和平面栅都是垂直导电型的MOSFET，两种不同的技术路线，沟槽栅晚出现，两者在结构上面有相似之处。源极在顶层，漏极在底层，两者的区别在栅极。平面栅的栅极在平面平铺的，沟槽的栅极是向内挖出一个槽，然后在这个槽里面填入氧化硅，这个工序叫做栅极氧化，对应图中的紫色部分。然后在构建蓝色部分对应的栅极，实际工艺中使用的栅极材料是多晶硅。黄色区域对应的栅极加压之后形成的沟道，电流从沟道向上穿过向源极流动。
沟槽栅的主要由RCS、RN+、RCH、RA、RD、RSUB、RCD等7大部分构成：
其在元胞中的位置示意如下图所示：
和平面栅的MOSFET相比，沟槽栅MOSFET通过构建沟槽结构，穿过了P型基区的最下端，形成的沟道位于N+源极与N漂移区之间，消除了JFET区域，也消除了JFET电阻，因此总的特征电阻减小了一部分。
另外沟槽栅的结构使的元胞的节的间距可以比平面栅的更小，从而进一步减小了总的电阻，使得沟槽的电阻进一步降低。因此沟槽的SiCMOSFET能够做到更小的导通电阻值，功耗大大降低。但是其挖槽的工艺难度、复杂度提高，带来的就是良率和成本的问题。
