电阻
电阻等效电路
图1电阻等效电路
电阻的等效阻抗
同一个电阻元件在通以直流和交流电时测得的电阻值是不相同的。在高频交流下，须考虑电阻元件的引线电感L0和分布电容C0的影响，其等效电路如图1所示，图中R为理想电阻。由图可知此元件在频率f下的等效阻抗为
式1
上式中ω＝2πf，Re和Xe分别为等效电阻分量和电抗分量，且
式2
从上式可知Re除与f有关外，还与L0、C0有关。这表明当L0、C0不可忽略时，在交流下测此电阻元件的电阻值，得到的将是Re而非R值
电感
电感等效电路
图2电感等效电路
电感的等效阻抗
电感元件除电感L外，也总是有损耗电阻RL和分布电容CL。一般情况下RL和CL的影响很小。电感元件接于直流并达到稳态时，可视为电阻；若接于低频交流电路则可视为理想电感L和损耗电阻RL的串联；在高频时其等效电路如图2所示。比较图1和图2可知二者实际上是相同的，电感元件的高频等效阻抗可参照式1来确定
式3
式中Re和Le分别为电感元件的等效电阻和等效电感。
从上式知当CL甚小时或RL、CL和ω都不大时，Le才会等于L或接近等于L。
电容
电容等效电路
图3电容等效电路
电容的等效阻抗
在交流下电容元件总有一定介质损耗，此外其引线也有一定电阻Rn和分布电感Ln，因此电容元件等效电路如图3所示。图中C是元件的固有电容，Rc是介质损耗的等效电阻。等效阻抗为
式4
式中Re和Ce分别为电容元件的等效电阻和等效电容，由于一般介质损耗甚小可忽略(即Rc→∞)，Ce可表示为
式5
从上述讨论中可以看出，在交流下测量R、L、C，实际所测的都是等效值Re、Le、Ce；由于电阻、电容和电感的实际阻抗随环境以及工作频率的变化而变，因此，在阻抗测量中应尽量按实际工作条件(尤其是工作频率)进行，否则，测得的结果将会有很大的误差，甚至是错误的结果。
二极管
功率二极管的正向导通等效电路
（1）：等效电路
（2）：说明：
二极管正向导通时可用一电压降等效，该电压与温度和所流过的电流有关，温度升高，该电压变小；电流增加，该电压增加。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。
功率二极管的反向截止等效电路
（1）：等效电路
（2）：说明：
二极管反向截止时可用一电容等效，其容量与所加的反向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。
功率二极管的稳态特性总结
（1）：功率二极管稳态时的电流/电压曲线
（2）：说明：
二极管正向导通时的稳态工作点：
当VinVd时，有：
而Vd对于不同的二极管，其范围为0.35V~2V。
二极管反向截止时的稳态工作点：Id≈0，Vd=-Vin
（3）：稳态特性总结：
--是一单向导电器件（无正向阻断能力）；
--为不可控器件，由其两断电压的极性控制通断，无其它外部控制；
--普通二极管的功率容量很大，但频率很低；
--开关二极管有三种，其稳态特性和开关特性不同：
--快恢复二极管；
--超快恢复，软恢复二极管；
--萧特基二极管（反向阻断电压降＜＜200V，无反向恢复问题）；
--器件的正向电流额定是用它的平均值来标称的；只要实际的电流平均值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；
--器件的通态电压呈负温度系数，故不能直接并联使用；
--目前的SiC功率二极管器件，其反向恢复特性非常好。
MOS管
功率MOSFET的正向导通等效电路
（1）：等效电路
（2）：说明：
功率MOSFET正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。
功率MOSFET的反向导通等效电路（1）
（1）：等效电路（门极不加控制）
（2）：说明：
即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。
功率MOSFET的反向导通等效电路（2）
（1）：等效电路（门极加控制）
（2）：说明：
功率MOSFET在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。此工作状态称为MOSFET的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。
功率MOSFET的正向截止等效电路
（1）：等效电路
（2）：说明：
功率MOSFET正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。
功率MOSFET的稳态特性总结
（1）：功率MOSFET稳态时的电流/电压曲线
（2）：说明：
功率MOSFET正向饱和导通时的稳态工作点：
当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。
（3）：稳态特性总结：
--门极与源极间的电压Vgs控制器件的导通状态；当VgsVth时，器件处于断开状态，Vth一般为3V；当VgsVth时，器件处于导通状态；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；多数器件的Vgs为12V-15V，额定值为+-30V；
--器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的；只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的；
--器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；
--目前的Logic-Level的功率MOSFET，其Vgs只要5V，便可保证漏源通态电阻很小；
--器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小（目前最小的为2-4毫欧），在低压大电流输出的DC/DC中已是最关键的器件；
包含寄生参数的功率MOSFET等效电路
（1）：等效电路
（2）：说明：
实际的功率MOSFET可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道电阻一般很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET饱和时的通态电阻。
