去年11月，高通公布了下一代旗舰SoC的名字——骁龙835。在CES2017上，高通公布了骁龙835更多的信息。
不出意外，骁龙835将会成为2017年大多数Android旗舰手机的「标配」，这颗SoC的表现如何？是否值得你期待？下面是我们目前所得知的所有信息。
回归「大小」8核心既然是旗舰SoC，我们就先看一下骁龙835在CPU和GPU性能上的表现。
CPU部分，骁龙835放弃了骁龙820的4个大核设计，转而使用更加接近ARM公版设计的「4大核+4小核」设计，三星最近几代的Exynos和高通骁龙810也是这种设计。
其中，骁龙835的「大核」采用了全新的Kryo280架构，主频2.45GHz，2MB二级缓存，「小核」应该是Cortex-A53架构，主频1.9GHz，1MB二级缓存。「大核」和「小核」会根据任务的负荷，智能地进行切换，在负载较低时使用低功耗的「小核」，「小核」搞不定时再调用性能更强的「大核」。
我们目前还不太清楚这个Kryo280的内部细节，一种说法是高通这次的Kryo280其实就是ARM提供的Cortex-A73的小改版。在之前发布的麒麟960上，我们已经见识过了Cortex-A73的性能有多么强大，如果高通真这么用也无可厚非，唯一的问题就是骁龙835的10纳米工艺能否「hold」住Cortex-A73的热量了。
在GPU部分，骁龙835从骁龙820的Adreno530升级到了Adreno540，内部的细节变化尚不清楚。
至于骁龙835的实际性能表现，由于目前还没有搭载骁龙835的产品上市，我们现在还无法得知骁龙835的跑分数据。根据我们目前得到的信息，相比骁龙821，骁龙835整体性能的提升幅度应该在20%—30%之间。
值得一提的是，高通还特意强调了骁龙835在AR、VR等应用场景上的提升，包括更加准确的运动检测、更低的延迟（有助于降低使用VR设备时的眩晕感）以及更强大的3D图形渲染能力（相比骁龙820提升25%）。
千兆基带、蓝牙5.0除了CPU和GPU，SoC中还包括了用于ISP（图像信号处理器）、DSP（数字信号处理器）等模块，骁龙835也都进行了一些升级，其中ISP型号升级到Spectra180ISP，DSP为Hexagon682。
在通讯基带方面，骁龙835搭载了最新的X16基带，以取代骁龙820/821上的X12基带，这是全球的第一款移动平台千兆调制解调器，支持，下行速率可达1Gbps。此外，骁龙835平台也支持802.11ad以及2x211acMU-MIMOWi-Fi。
另外，使用配套的WCN3990芯片，骁龙835还是全球第一个正式支持蓝牙5.0方案的平台。相比蓝牙4.2，蓝牙5.0在速度、覆盖范围和功能上都有了明显的进步。
需要说明的是，上面这些通讯方面的提升在未来几年内可能都不会普及甚至是大规模商用。高通835平台的支持，一方面是高通在旗舰产品上展示自己的技术实力，另一方面则让未来采用这一平台的产品可以拥有更长的使用周期。
关于10纳米FinFET工艺除了核心架构上的进步，和SoC综合性能相关的另外一个因素是制程。
更先进的制程有助于降低SoC的功耗和发热，让CPU和GPU能够以更高的频率稳定运行更高的时间。比如大家熟知的高通骁龙810，因为台积电当时无法搞定14和16纳米工艺导致不得不采用落后的20纳米制程，导致高性能运行时发热巨大，能效比很低，对比同期的三星Exynos7420，虽然「烤龙810」在核心架构上其实并没有多少劣势，但实际性能表现却被对手「吊着打」。
在这一代的骁龙835上，高通选择了和三星合作，使用三星最新的10纳米FinFET工艺制造。
由于制程更先进，骁龙835在「堆」了超过30亿个晶体管的情况下，核心面积比骁龙820还要小了35%。根据高通的说法，由于骁龙835的核心面积更小以及核心架构上的优化，这让厂商可以设计出更加轻薄的产品，有助于为产品配备更大容量的电池。此外，高通还表示，骁龙835相比上一代产品的整体能耗降低了25%，这有助于提高智能手机的续航表现。
关于10纳米工艺，还有两点值得注意。
第一是根据现有的消息，三星10纳米FinFET工艺目前的良率还有待提高，这可能会导致骁龙835的出货时间晚于预期，而这会直接导致采用骁龙835的旗舰机（比如GalaxyS8）延期上市。
第二是除了代工骁龙835，三星自家的下一代旗舰Exynos8895用的也是自家的10纳米工艺，而且相比骁龙835，Exynos8895的性能表现可能更值得期待。
不出意外，Exynos8895也会采用了「4大4小」的8核心设计，「小核」架构依旧是公版CortexA53，「大核」架构为三星定制的第二代猫鼬（接近CortexA73），GPU部分则可能「丧心病狂」地堆上20个Mali-G71核心（作为对比，麒麟960采用了8个G71）。不过遗憾的是，Exynos8895的内置通讯基带依旧不支持CDMA，在国内无法支持电信的2G和3G网络。
QC4快速充电在去年11月公布骁龙835名字的时候，高通就透露了下一代充电协议QuickCharge4（简称QC4，没有「.0」），并且推出SMB1380、SMB1381两个电源管理芯片（峰值效率可以达到95%）。
相比前三代的QC，QC4的有两个明显的变化，第一是兼容USB-PD协议（QC4能否算是PD的一个分支？），第二是在保留「大电压」快充的基础上，增加了对大电流的支持。
关于QC4具体的充电参数目前还不清楚。不出意外，配合定制的数据线，QC4的最大输入电流应该可以达到了5A左右，最大功率应该可以达到或接近30W。类似的「低压大电流」快充已经出现在OPPOVOOC闪充、华为SuperCharge等手机厂商自家的充电协议中，优势是在使用设备时依然可以保持接近全速的充电，不会像现有的高电压快充方案那样一旦点亮屏幕就立刻降到「慢充」。
关于QC4的充电速度，高通表示，一部电池容量为2750毫安时的手机，使用QC4半小时可以从没电充到50%。
需要说明的是，QC4只是充电时的识别协议，即使使用同样的充电协议，充电速度常常会有比较大的区别（比如同为，锤子M1最大充电速度可以接近24W，ZUKEdge不到12W），实际的充电速度是手机厂商对电池和充电IC选择、充电温度等多种因素的权衡之后的结果。
不过有了QC4这样更先进的充电协议，手机厂商在选择快充时留有的空间会更大。可以确定的是，2017年采用新SoC平台的Android手机充电会更快，充电时的发热会更小。
谁会首发骁龙835？之前我们预计会是三星的下一代旗舰手机GalaxyS8，因为毕竟三星是骁龙835的代工方，并且在GalaxyNote7遭遇重大打击后，GalaxyS8对三星的意义非同寻常。
不过一天前，华硕表示即将在CES上发布的新款ZenFone手机将采用「全世界最好的处理器（theworld'sbestprocessor）」，考虑到华硕发布会的时间正好在高通发布会的后一天，这个「最好的处理器」有可能指的就是骁龙835。
不过我们推测，即使ZenFone真的搭载骁龙835，也很有可能是「PPT发布」，类似去年首发骁龙820的乐MaxPro，真正上市的第一款采用骁龙835的手机可能还是GalaxyS8。
至于这款神秘的华硕新机究竟是什么，我们也将奔赴现场，为大家第一时间带来相关的报道。
