2024年第二季度，存储行业有望延续上行趋势。据TrForce集邦咨询预计，第二季度NANDFlash（闪存存储器）合约价将强势上涨约13%至18%，DRAM（动态随机存取存储器）价格涨幅约3%至8%。
产业链部分企业率先感受到市场暖意。近日，上市公司佰维存储表示，当前行业迎来景气复苏，手机端客户需求有明显复苏的迹象。兆易创新在投资者互动平台上表示，2024年主流存储价格将延续上涨走势，公司DRAM和NAND价格将持续回升。
华安电子首席分析师陈耀波在接受《》记者采访时表示：“新一轮存储周期中，人工智能产业发展是市场需求的重要创造方，持续贡献需求增量。上市公司需要积极提高产品竞争力，通过把握新增的市场需求，紧抓发展机遇。”
高性能存储需求旺盛
4月7日，《》记者在深圳市华强北走访调研了解到，存储市场正持续回暖。深圳市者成科技有限公司总经理卢忠东向《》记者表示：“自2023年第三季度末以来，部分存储产品价格上涨。目前，涨幅较大的是高性能存储芯片，市场上DDR5等产品需求旺盛，供不应求。但并非所有型号都在涨，一些中低性能产品涨幅不明显，部分型号价格仍在低位徘徊甚至下滑。”
本轮存储芯片价格上涨与人工智能产业的快速发展有密切关系。中国电子商务专家服务中心副主任郭涛在接受《》记者采访时表示：“人工智能技术的进步，推动高速、大容量存储解决方案的需求，因此本轮存储周期一大特点就是高性能存储芯片需求旺盛。”
在新周期之中，高端存储HBM和DDR5产品正加速向市场渗透，三星电子、SK海力士、美光公司纷纷将投资和产能转向HBM和DDR5。HBM方面，TrForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预计，到2024年底HBM核心技术TSV的产能将同比增长约260%，占DRAM总产能约14%。DDR5方面，DDR5子代迭代正在加速。
在业内人士看来，前四轮存储周期一般为3年至4年。中国银河证券研报表示，人工智能需求正在创造存储芯片行业第五轮周期起点，人工智能服务器、人工智能个人电脑、人工智能移动终端设备市场需求都在持续放量，存储市场迎来新发展机遇。
上市公司积极行动
随着市场景气度上行，近日，A股存储赛道多家上市公司，包括兆易创新、东芯股份、澜起科技、聚辰股份、江波龙、佰维存储、大为股份等，在投资者互动平台上或接受机构调研时，均被问及产品供求情况和高性能产品相关布局情况。
东芯股份表示，从存储产品的周期来看，公司产品预计随着需求的逐步回暖，价格将逐步改善。公司以成为国内领先的存储芯片设计企业为目标，致力于给更多客户提供包括NANDFlash、NORFlash、DRAM、MCP等多产品线全覆盖的存储芯片产品。
澜起科技在内存接口芯片领域牵头制定DDR5RCD芯片国际标准，在DDR5子代迭代的过程中，研发进度保持领先，公司的DDR5第二子代RCD芯片已于去年下半年开始规模出货。
中国金融智库特邀研究员余丰慧向《》记者表示：“随着人工智能产业的发展，数据安全重要性凸显，国内存储厂商在本轮存储周期中的发展潜力巨大。”
