本人早期设计的一款用于电机驱动器的开关电源，可能会对你有所帮助。
一概述:
高频变压器是开关电源中非常重要的部件，是研制开关电源的关键技术，它和普通电源变压器一样也是通过磁耦合来传输能量的。不过在这种功率变压器中实现磁耦合的磁路不是普通变压器中的硅钢片，而是在高频情况下工作的磁导率较高的铁氧体磁心或铍莫合金等磁性材料，其目的是为了获得较大的励磁电感、减小磁路中的功率损耗，使之能以最小的损耗和相位失真传输具有宽频带的脉冲能量。
单片开关电源集成电路具有高集成度、高性价比、最简外围电路、最佳性能指标等优点，目前已成为国际上开发中、小功率开关电源、精密开关电源及开关电源模块的优选集成电路。它被广泛用于仪器仪表，办公自动化设备，无线通信设备，笔记本电脑，彩色电视机，摄、录像机，Ac／Dc电源适配器等领域。
TOPSwitch器件是美国功率集成公司（POWERIntegrationsInc），于90年代中期推出的新型高频开关电源芯片。它是三端脱线式PWM开关的英文缩写（ThreeterminalofflinePWMSwitch）。它的特点是将高频开关电源中的PWM控制器和MOSFET功率开关管集成在同一芯片上，是一种二合一器件。这大大简化了电源电路，提高了可靠性，使得电源的设计更加简单快捷。TOPSwitch器件有多种封装形式，采用DIP－8和SMD－8封装的，中间4只为空脚，可以将它们接到印刷电路板的铜箔上，将芯片产生的热量直接传到印刷电路板上，不必另设散热器，节省了成本。采用TO220封装的，只有3只管脚，使用起来就和一只大功率三极管一样便利。此外由于PWM控制器和MOSFET功率开关管是在管壳内连接的，连线极短，这就消除了高频辐射现象，改善了电源的电磁兼容性能，减小了器件对电路板布局和输入总线瞬变的要求。TOPSwitch－II是TOPSwitch的改进型号，它将单电压输入时的最大功率100W提高到150W，电磁兼容性也得到增强，该器件具有更高的性能价格比。TOPSwitch－II器件包括TOP221－TOP227等几个型号，主要差别就在于输出功率的不同。TOPSwitchII器件的内部电路与性能分别见图1和表1所示。
TOP－220封装（Y）
DIP－8封装（P）/SMD－8封装（G）
产品型号
固定输入(110/115/230VAC±15％)
宽范围输入（85～265VAC）
产品型号
固定输入（110/115/230VAC,±15％）
宽范围输入（85～265VAC）
TOP221Y
12W
7W
TOP221P/G
9W
6W
TOP222Y
25W
15W
TOP222P/G
15W
10W
TOP223Y
50W
30W
TOP223P/G
25W
15W
TOP224Y
75W
45W
TOP224P/G
30W
20W
TOP225Y
100W
60W
——
——
——
TOP226Y
125W
75W
TOP227Y
150W
90W
二:开关电源原理图
三：设计指标
1、输入要求：
输入电压范围：85VAC——260VAC
输入频率范围：47Hz——63Hz
额定输入电压及频率：220VAC50Hz
2、输出要求：（额定输出功率15W效率不低于70%）
组别
输出电压
输出电流
纹波P-P
电压调整率
负载调整率
1
+VCC(+5V)
1.2A
＜50mV
＜1%
＜1%
2
+V(+15V)
200mA
＜50mV
＜1%
＜1%
-V(-15V)
200mA
＜50mV
＜1%
＜1%
3
+VUPI(+15V)
50mA
＜150mV
＜5%
＜10%
4
+VVPI(+15V)
50mA
＜150mV
＜5%
＜10%
5
+VWPI(+15V)
50mA
＜150mV
＜5%
＜10%
6
+VNI(+15V)
50mA
＜150mV
＜5%
＜10%
四：其它特性:
开关频率100KHz
最大占空比50%
五：变压器参数:
初级电感量2000uH±10%
磁心气隙0.40mm磁心规格：EER-28,磁性材料类别：HE4(深圳市东阳光实业发展有限公司所生产)
直流电阻
PIN1-2=1.3Ω最大PIN4-3=180mΩ最大PIN6-5=18mΩ最大
PIN7-9=180mΩ最大PIN8-7=180mΩ最大PIN17-18=180mΩ最大PIN10-11=110mΩ最大PIN12-13=220mΩ最大PIN15-16=230mΩ最大
最大平面图外观及尺寸
A=37.0B=11.5C=28.0D=20.0E=33.0F=4.5G=4.0I=φ0.8单位:mm
变压器绕线结构图及原理图
线包制作方法
工序
漆包线规格
匝
数
起点-→终点
绝缘胶带
N1
φ0.31mm
56TS
1-→A’
2TS
N2
φ0.27mm
9TS
4-→3
1TS
N3
φ0.31mm×6P
4TS
6-→5
1TS
N4
φ0.31mm
12TS
7-→9
3TS
N5
φ0.31mm
12TS
8-→7
N6
φ0.27mm
10TS
17-→18
2TS
N7
φ0.27mm
10TS
10-→11
N8
φ0.27mm
10TS
12-→13
3TS
N9
φ0.27mm
10TS
15-→16
N10
φ0.31mm
37TS
A’-→2
3TS
附:磁性材料HE4MnZn功率铁氧体特性
特性
HE3
HE3A
HE4
HE44
HE5
HU2
HU3
HU4
初始磁导率µi
2500±25％
3000±25%
2300±25%
2300±25%
1400±25%
1800±25%
2300±25%
2300±25%
饱和磁通密度Bs(mT)
(H=1194A/m)
25℃
510
500
510
500
470*
500
480
480
100℃
390
380
390
380
370*
380
360
360
剩磁Br(mT)
25℃
117
130
100
110
140
170
130
130
功率
损耗
Pv(kw/m3)
16KHz
150mT
25℃
50
100℃
20.2
16.8
14.5
25KHz
200mT
25℃
130
160
120
60℃
95
125
80
100℃
100
140
70
100KHz
200mT
25℃
700
750
600
600
130**
60℃
450
410
80
100℃
600
700
410
310
80
530
480
432
矫顽力Hc(A/m)
25℃
14
17
14
13
36.5
16
16
14
居里温度Tc(℃)
230
230
215
215
240
250
230
200
表观密度d(g/cm3)
4.8
4.8
4.8
4.8
4.8
4.8
4.8
4.8
电阻率ρ(Ω.m)
10
10
6.5
6.5
/
3
5
3
注：1、*测试磁场1600A/m
2、**测试条件500kHz，50mT
HE4特性曲线图
